Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/26794
Title: | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов |
Authors: | Яцевич, Николай Александрович Стемпицкий, В. Р. Ловшенко, И. Ю. |
Keywords: | радиоэлектроника ионизирующее излучение субмикронные моп-транзисторы |
Issue Date: | 2017 |
Citation: | Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/26794 |
Appears in Collections: | Статьи |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Modelirovanie vliyaniya temperatury.pdf | 398.2 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.