Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/26794
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Яцевич, Николай Александрович | - |
dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
dc.date.accessioned | 2023-02-01T13:53:04Z | - |
dc.date.available | 2023-02-01T13:53:04Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108. | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/26794 | - |
dc.language.iso | other | en_US |
dc.subject | радиоэлектроника | en_US |
dc.subject | ионизирующее излучение | en_US |
dc.subject | субмикронные моп-транзисторы | en_US |
dc.title | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Appears in Collections: | Статьи |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Modelirovanie vliyaniya temperatury.pdf | 398.2 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.