Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/26794
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЯцевич, Николай Александрович-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.contributor.authorЛовшенко, И. Ю.-
dc.date.accessioned2023-02-01T13:53:04Z-
dc.date.available2023-02-01T13:53:04Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationЯцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108.en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/26794-
dc.language.isootheren_US
dc.subjectрадиоэлектроникаen_US
dc.subjectионизирующее излучениеen_US
dc.subjectсубмикронные моп-транзисторыen_US
dc.titleМоделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторовen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Статьи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Modelirovanie vliyaniya temperatury.pdf398.2 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.