Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/26794

Title:	Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов
Authors:	Яцевич, Николай Александрович Стемпицкий, В. Р. Ловшенко, И. Ю.
Keywords:	радиоэлектроника ионизирующее излучение субмикронные моп-транзисторы
Issue Date:	2017
Citation:	Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108.
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/26794
Appears in Collections:	Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Modelirovanie vliyaniya temperatury.pdf		398.2 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI